Bộ nhớ trong dung lượng 256Gb vừa được Samsung ra mắt

Bộ nhớ trong dung lượng lên tới 256gb vừa được Samsung trình làng chỉ sau vài ngày khi sự kiện ra mắt Galaxy S7 tại MWC 2016.

Công nghệ chip mới của Samsung có bộ nhớ khủng lên tới 256GB (ảnh minh họa)

Theo đó, Samsung đã tuyên bố đưa các dòng chip nhớ UFS 2.0 khiến thiết bị tương lai có bộ nhớ trong dung lượng 256GB vào sản xuất hàng loạt. Đây là bước tiến mới nhất của Samsung trên lĩnh vực chip nhớ di động.

Bộ nhớ mới cho tốc độ gấp 3 lần thẻ nhớ tốc độ cao

Loại chip nhớ này được trang bị chuẩn kết nối UFS 2.0. Nhờ đó, nó có tốc độ truyền dữ liệu lên đến 850 MB/giây và đọc dữ liệu với tốc độ 260MB/giây. Tốc độ này nhanh gấp 3 lần thẻ microSD hiệu suất cao.

Galaxy S6 là chiếc smartphone đầu tiên của Samsung được thừa hưởng công nghệ chip nhớ mới này

Được biết, sau khi hãng này chuyển từ công nghệ eMMC lên công nghệ UFS (Universal Flash Storage) 2.0 mới mẻ có tốc độ truyền tải dữ liệu cao hơn nhiều so với công nghệ cũ vào năm ngoái. Công nghệ nafyd đã từng được ứng dụng lên một số cao cấp của Samsung như Galaxy S6 và S6 edge. Đây là cặp đôi smartphone đầu tiên sử dụng UFS 2.0 thay thế cho eMMC.

Chip nhớ mới nhanh gấp 2 ổ cứng SSD Sata?

Một điều ngạc nhiên chưa từng xảy ra vừa được Samsung tiết lộ là chip UFS 256GB mới sử dụng 2 luồng truyền tải dữ liệu để thực hiện truyền tải dữ liệu ở tốc độ 850MB/s, nhanh gần 2 lần so với ổ SSD dùng chuẩn kết nối SATA đang được sử dụng phổ biến trên PC. Tốc độ ghi dữ liệu tuần tự cũng đạt tới mức rất ấn tượng: 260MB.

Chuẩn bộ nhớ trong mới có tốc độ truy xuất dữ liệu nhanh gấp đôi so với ổ cứng thể răn SSD

Theo nguồn tin thân cận của Samsung thì hãng này đang nhắm dòng chip nhớ của mình vào thị trường cao cấp để phù hợp với nhu cầu sử dụng nội dung 4K hoặc cũng đáp ứng đầy đủ cho tốc độ truy xuất dữ liệu từ bộ nhớ trong tới chuẩn kết nối USB-C đang ngày một phổ biến.